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晶合集成获得发明专利授权:“掩膜版结构和光刻方法”!
发布于 2025-07-14 06:32 阅读()
证券之星消息,根据天眼查APP数据显示晶合集成(688249)新获得一项发明专利授权,专利名为“掩膜版结构和光刻方法”,专利申请号为CN9.8,授权日为2025年4月25日。
专利摘要:本发明涉及一种掩膜版结构和光刻方法。掩膜版结构包括:功能区,用于通过光刻在晶片的中间区域形成图形化半导体结构;第一切割道区,环绕功能区设置,第一切割道区至少包括第一图案,第一图案用于在光刻形成图形化半导体结构时对目标光刻位置进行定位;第二切割道区,位于第一切割道区的第一外侧,第二切割道区包括第二图案,第二图案用于通过光刻在晶片的第一边缘形成第一定位标记。本实施例提供的掩膜版结构能够同时应用于图形化半导体结构的光刻和晶片边缘处第一定位标记的光刻,减少对于第一定位标记的掩膜版数量,降低成本,且减少数据处理流程和工艺次数,缩短时间。
今年以来晶合集成新获得专利授权118个,较去年同期增加了9.26%。结合公司2024年年报财务数据,2024年公司在研发方面投入了12.84亿元,同比增21.41%。
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