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芯恩(青岛)集成电路申请晶圆背面光刻工艺的曝光对准方法专利避免曝光对准失效或不同层之间套刻偏差变大!
发布于 2025-07-14 16:30 阅读()
金融界2025年4月17日消息,国家知识产权局信息显示,芯恩(青岛)集成电路有限公司申请一项名为“晶圆背面光刻工艺的曝光对准方法”的专利,公开号CN 119833460 A,申请日期为2025年1月。
专利摘要显示,本发明提供一种晶圆背面光刻工艺的曝光对准方法,通过改变半导体晶圆背面光刻图形化工艺前的掺杂工艺,将掺杂工艺中的掺杂层划分为掺杂区及非掺杂区,其中掺杂区为半导体器件结构所需的掺杂层,非掺杂区设置为覆盖半导体晶圆正面的对准标记所在区域的外轮廓囊括区域,因此后续在进行半导体晶圆背面光刻图形化工艺的曝光工序时,曝光对准发出的红外光可顺利通过该非掺杂区至半导体晶圆正面的对准标记,保证反射出来的对准Mark光信号强度满足识别要求,从而避免曝光对准失效或不同层之间套刻偏差变大,提高产品良率。
天眼查资料显示,芯恩(青岛)集成电路有限公司,成立于2018年,位于青岛市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。K8凯发官方网站企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析,芯恩(青岛)集成电路有限公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目166次,财产线条,此外企业还拥有行政许可55个。K8凯发官方网站
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