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　　9月2日，外资投行高盛发布最新研究报告，聚焦中国半导体制造领域尤其是光刻机研发情况，指出中国在该领域面临严峻挑战，短期内难以追赶西方先进技术。高盛在报告中抛出的论断，全球半导体产业再次将目光聚焦于这个决定芯片制造命运的关键设备。

　　光刻机作为人类工业文明的巅峰之作，其技术复杂度远超常人想象。一台先进EUV光刻机包含超过10万个零部件，需要全球数千家供应商协同生产，这种极致的全球化分工体系，恰恰成为中国光刻机研发难以逾越的障碍。

　　ASML最新一代High NA EUV光刻机已能实现2纳米制程的稳定生产，而其核心技术如极紫外光源、高精度光学镜头和双工件台系统，分别掌握在美国Cymer、德国蔡司和ASML自身手中。这种技术垄断形成的专利丛林，使得后发国家难以通过常规研发路径实现突破。

　　在核心零部件层面，德国蔡司的高精度光学镜头被限制对华出口，而这种镜头的加工精度要求达到纳米级别，其生产过程需要经过上百道工序的精密控制。美国则通过施压盟友，持续扩大对中国半导体设备的出口管制，不仅EUV光刻机严禁对华销售，即使是用于成熟制程的DUV光刻机关键部件也受到严格限制。

　　在系统集成层面，上海微电子虽然已能稳定生产65纳米光刻机，但与ASML相比，其设备在长时间运行的稳定性、晶圆良率控制等方面仍有明显差距，这些看似细微的差别，恰恰决定了芯片制造的经济性和竞争力。

　　更深层次的挑战在于基础工业能力的积累不足。光刻机所需的精密导轨、轴承等基础零部件，其加工精度要求达到微米级，而这种工匠精神的培养需要数十年的技术沉淀。中国虽然在高铁、5G等领域取得了举世瞩目的成就，但在半导体设备所需的超精密制造领域，仍存在诸多卡脖子环节。以光刻光源为例，国产高压汞灯光源寿命仅1000小时左右，而荷兰ASML使用的激光光源寿命可达数万小时，这种可靠性差距直接影响了光刻机的生产效率。

　　面对严峻的外部环境，中国光刻机研发正以单点突破带动系统升级的策略稳步推进。

　　在核心零部件领域，华卓精科成功研发出光刻机双工件台系统，成为全球第二家掌握此项核心技术的企业，该技术可应用于65纳米及以下节点的光刻机，打破了ASML在该领域的垄断地位。百合光电研发的紫外LED光刻光源，将使用寿命提升至3万小时，是传统进口光源的30倍，综合成本却降低至进口产品的1/3，已被中芯国际列为战略供应商。这些突破虽然未能直接跨越技术代差，却为国产光刻机的持续迭代奠定了基础。

　　根据2025年7月多地政府发布的制造强国建设进展通报，28纳米浸没式光刻机已完成产线%。这一进展意义重大，因为28纳米制程覆盖了汽车电子、工业控制等关键领域的芯片需求，在当前全球芯片短缺的背景下，实现该制程的自主可控具有重要的战略价值。上海微电子作为国产光刻机的龙头企业，其已量产的90纳米光刻机已广泛应用于国内晶圆厂，为成熟制程芯片生产提供了设备保障。

　　日本佳能公司2024年推出的FPA-1200NZ2C纳米压印光刻系统，采用与传统光学光刻完全不同的技术原理，通过类似盖印章的物理方式实现电路图案转移，其价格仅为EUV光刻机的十分之一，能耗也降低至十分之一。这种技术路线避开了极紫外光源等被垄断的核心技术，理论上可实现5纳米甚至2纳米制程，为中国半导体设备企业提供了重要借鉴。

　　国内在新兴光刻技术领域同样有所布局。电子束光刻技术无需模板即可直接在芯片上书写电路图案，特别适合量子芯片等未来器件的制造；纳米压印技术则在LED、AR设备等领域已实现商业化应用。这些技术虽然在大规模量产方面仍面临缺陷率控制等挑战，但为突破传统光刻技术壁垒提供了新的思路。值得注意的是，不同技术路线之间并非完全替代关系，而是可能形成互补格局——EUV光刻机用于7纳米以下先进制程，国产28纳米光刻机满足成熟制程需求，纳米压印等新技术则在特定领域发挥优势。

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　　高盛报告揭示的技术差距客观存在，但将其静态化为20年鸿沟则忽视了技术创新的非线性特征。从百合光电光源技术的突破到28纳米光刻机的产线验证，从双工件台的自主研发到纳米压印技术的探索，中国半导体产业正在书写着积跬步以至千里的创新故事。

　　光刻机研发不仅是技术问题，更是产业生态和创新体系的综合较量。在这场持久战中，既需要正视差距的清醒，更需要战略定力和创新智慧，唯有如此，才能在全球半导体产业的百年变局中占据主动，为制造强国建设奠定坚实基础。返回搜狐，查看更多

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