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　　SK海力士已完成其中国无锡DRAM内存晶圆厂的制程升级工作，将主要工艺从1z纳米（第三代10纳米级）升级至

　　无锡晶圆厂作为SK海力士全球生产体系的关键一环，贡献了该公司约三分之一的DRAM产能。在该工厂每月18-19万片12英寸晶圆的投片量中，约九成已采用1a纳米工艺。

　　DRAM制程按微缩程度划分世代，1z属于10纳米级第三代技术，而1a则为第四代，具备更高集成度与更低功耗。

　　这一技术跨越不仅提升了产品性能，更显著优化了能效表现。1a纳米工艺的DRAM在每一张晶圆中可产出的产品数量比前一代1z纳米级工艺提高约25%，功耗也降低了约20%。

　　SK海力士早在2021年7月就已开始量产采用EUV技术的第四代10纳米级DRAM，但将这一先进制程引入中国工厂却面临特殊挑战。

　　全球DRAM市场的先进工艺集中度极高，当前仅被极少数厂商掌握。SK海力士此次成功将无锡工厂升级至1a工艺，进一步巩固了其在尖端DRAM技术领域的竞争地位。

　　1a纳米级DRAM生产通常需依赖极紫外光刻（EUV）设备，但受相关出口管制影响，EUV设备无法直接部署于中国境内。

　　面对这一挑战，SK海力士采取了创新分工模式：将涉及EUV的关键光刻步骤安排在韩国本土完成，其余制造流程则在无锡工厂进行整合。这种“跨国生产流水线”虽然增加了工艺复杂性和物流成本，但有效兼顾了技术合规性与生产连续性。

　　这一创新方案确保了先进制程产品的持续推进，同时满足合规要求。SK海力士通过此方式，既遵守了当前的贸易法规，又最大程度地利用了其全球生产网络的优势。

　　自2006年投产以来，SK海力士在无锡生产基地累计投资已达数万亿韩元。该基地不仅是SK海力士的重要生产基地，也在全球存储芯片供应体系中扮演关键角色。

　　SK海力士总裁宋铉珎去年曾明确表示：“中国工厂不仅对SK海力士至关重要，对全球存储器半导体的供需也同样重要。”这一表态凸显了无锡工厂在全球芯片供应链中的战略地位。

　　根据业界分析，SK海力士未来的生产结构规划已经清晰：通用DRAM产品在中国生产，而尖端DRAM产品在韩国生产。这种分工模式可能成为未来全球半导体产业的新常态。

　　在全球存储芯片市场经历前所未有的繁荣期之际，无锡工厂的技术升级为稳定全球存储芯片供应提供了有力保障。

　　全球芯片产业正面临前所未有的变局。TrendForce数据显示，仅去年第四季度，部分存储芯片价格同比上涨达300%以上。在这一背景下，SK海力士无锡厂的技术升级为稳定全球存储芯片供应提供了有力保障。

　　随着人工智能与大数据应用爆发，未来DRAM需求只增不减。SK海力士美国公司首席执行官柳成洙坦言：“我们必须支持人工智能基础设施的内存消耗。”该公司甚至决定将韩国龙仁新芯片工厂的开业时间提前三个月，以应对激增的市场需求。

　　在全球半导体产业链重构的背景下，SK海力士在无锡工厂的成功升级展示了一种创新合作模式的可能性。这种模式既不违k8凯发官网入口背技术管制规定，又最大程度地利用了全球化生产网络的优势，为未来跨国科技合作提供了重要参考。返回搜狐，查看更多