K8（凯发中国）凯发-天生赢家·一触即发

　　首款国产DUV光刻机或正测试 突破28纳米技术！中国正在测试首台国产的DUV28纳米技术光刻机，如果成功，这将是中国在国产光刻机领域的重大突破。在中国与美国在西班牙进行谈判的关键时刻，这一进展为中国增添了重要筹码。

　　中国领先的芯片制造商正在试用自主研发的先进芯片制造设备，旨在挑战西方竞争对手在人工智能处理器生产领域的主导地位。知情人士透露，这台深紫外（DUV）光刻机由上海初创公司裕良盛研发制造，目前正在中芯国际进行测试。该设备大部分零部件为中国国内制造，但仍有部分零件从国外采购，公司正努力实现所有零部件的国产化。

　　设备采用浸没式技术，类似于ASML的DUV技术。此前中国的光刻机技术主要为干式刻蚀技术，这是首次使用浸没式技术。这台光刻机采用28纳米技术，并利用“多图案技术”生产7纳米芯片。尽管“纳米”更多是指每一代新的芯片技术而非实际物理尺寸，但这一突破对中国国产芯片和光刻机意义重大。此前，中国用于生产7纳米节点的光刻机全部依赖荷兰阿斯麦进口。

　　报道还提到，如果顺利，中芯国际试验的这类机器或许也能被用于生产5纳米制程的处理器，但产量较低，无法生产更先进的产品。要生产更先进制程的芯片，仍需使用阿斯麦的极紫外（EUV）光刻机。目前，中国也在研发EUV光刻机，深圳的SiCarrier公司就是其中之一，该公司也是裕良盛的股东之一。SiCarrier成立于2021年，今年3月在上海半导体会议上展示了多款先进芯片制造设备，其内部EUV项目代号为“珠穆朗玛峰”。

　　新的深紫外（DUV）光刻设备通常需要至少一年的时间进行多次调整，才能达到所需的稳定性和良率，从而具备投入生产的条件。一位参与者表示，虽然初步结果令人鼓舞，但目前仍不清楚这台机器是否以及何时能够用于大规模芯片生产。按照正常时间估计，正式投产可能要到2027年，但中国速度可能会让这一时间提前。

　　这次突破的重大意义在于，中国首次突破了28纳米的浸没式DUV光刻机，K8凯发官方网站且时间大大提前。此外，所有零部件都是国产的，即使部分还是国外采购，也能够逐步实现国产化。这不仅提振了国产光刻机的信心，还表明中国有能力攻克光刻机技术。一旦这一技术被突破，未来向EUV光刻机的发展将更加顺利。此次突破还为中国在中美谈判中提供了有力支持，显示出中国在科技领域的进步和实力。