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　　设计者要构筑一个芯片的高层次模型以进行功能检验，并得到其性能评估。然后设计者应用客户端设计所需的软件，把预先已设计好的电路块(单元)组装为芯片

　　最后，从实际版图出发进行再次的模拟。若不符合技术规范，需要继续修改设计直至达到要求。

　　上列过程的一部分或全部可以自动执行。在CAD系统中，可输入要实现的功能的高层次描述和一个包含设计规则的文件。程序将产生芯片的版图以及其性能评估。

　　设计图分成多个信息层。每一层是一张某一薄膜在制成的IC上的布局图。通常这些层被复制成为掩模，一旦掩模制成了，可用一束光线通过它在圆片上曝光而形成图形

　　光照在光敏的材料上，然后这种材料被显影，K8凯发官方网站以再次构成原先的此层图形。掩模的生产工艺类似于圆片上的光刻。光学光刻和电子束光刻都可用于掩模制造

　　制造中用的大多数母版是150mm的正方形，然而为适应不久将来对大面积微处理器芯片的需要，预期会增大到225mm。

　　掩模制作在不同(bùtónɡ)类型的石英玻璃上。版的最重要的性能包括：曝光波长下的高透光度，小的热膨胀系数和平坦的精细抛光面(可减小光散射)

　　在玻璃的一面有形成图形的不透光层。大多数掩模的不透光层是铬层。掩模上形成图形后，图形可通过与数据库对比检查而得到确认。任何不希望有的铬可用激光烧化剥落

　　铬层的针孔可用额外的淀积来修理。这是一个关键的工序，因为掩模会用于在成千上万圆片上形成图形。版上的任何一缺陷，只要大到能够被复制，就会存在于用这块版的每一圆片上

　　一个典型的硅工艺包括15～20块不同的掩模，对于某些BiCMOS工艺，可以多到28块

　　存储器制造商应当要求(yāoqiú)对成千上万圆片上超过10亿个的晶体管的关键特征尺寸有严格的控制

　　图形投影在圆片表面上，圆片表面涂上一薄层称为光刻胶(photoresist)的光敏材料

　　曝光工具在圆片表面产生掩模图形，它的设计和工作是光学系统设计的主要问题。

　　一旦辐照的图形被光刻胶吸收和图形被显影时，化学过程就发生了。通过掩模上分离线条的光线形成照射(zhàoshè)圆片表面的辐照图形，它也称为掩模的实像。

　　应用可见光、紫外光(UV)、深紫外光(DUV)或极深紫外光(EUV)作曝光光源

　　灯包括两个密封在石英外壳内的导电电极——一个针尖电极和一个圆形电极，其间距为5mm左右。K8凯发官方网站大多数弧光灯包含汞蒸气，灯处于冷却状态时压力接近1个大气压

　　为了点燃弧光灯，在电极间加一个高压电脉冲，此脉冲电压要能电离气体。通常的冲击电压是几千伏。管内部分离化气体、电子和高能中性粒子的混合物称为等离子体

　　大多数弧光灯的供电(ɡònɡdiàn)电源也包括一个升压电源，典型的为一个充电到几百伏的电容器，它保证放电后瞬间等离子体的稳定性

　　典型的光刻弧光灯的电力消耗为500～1000W。发射光功率略小于它的一半

　　这个能量超过了石英玻璃外壳的禁带宽度，大多数发射光在离开灯外壳前将被吸收

　　高能发射会在灯装置中产生臭氧，灯的制造商有时会添加一些杂质(zázhì)到石英玻璃中，以增强吸收

　　与高能电子的碰撞，推动汞原子的电子进入能带的高能态。当它们回到低能态时，它们发射出光的波长相应于其能量跃迁

　　为将弧光灯的使用扩展到更深的紫外区，可用氙作为填充气体。氙(Xe)在290nm有强线nm有很弱的线

　　工作时，高能汞离子轰击负电极。它们通过称为(chēnɡwéi)溅射(spu~efing)的物理过程，打出少量的电极材料

　　一些溅射出的电极材料涂敷在石英玻璃壳的内壁。而且，灯内壁表面的高温会使石英玻璃慢慢失透，留下白雾状形貌

　　溅射与失透结合一起减弱了输出强度。附加的吸收能量使灯外壳更热。最后，灯常常由于爆裂而失效，这会严重损坏对准光学系统

　　波长选择是用一组滤波器完成的。一般用一个(yīɡè)冷镜去吸收灯的红外辐照。这样可避免不希望的曝光和对下游元件的加热。波长选择可通过使用光学陷波滤波器或高通、低通滤波器的系列组合而达到

　　大多数弧光灯在近紫外和可见光波长是有效的辐照源，在深紫外范围效率不高。准分子激光器在光谱的这一部分是最亮的光源。

　　大多数近代的准分子激光，是包含两种或更多元素的高压混合物。这些元素在基态不会起反应。但是，如果一种或两者被激发了，化学反应就将进行。

　　多数准分子中，一种原始化合物是卤素或含卤素的化合物如NF3，而另一种是惰性气体。一个(yīɡè)通常的例子是XeCl，导致产生激光的反应是：

　　激发的分子发射深紫外光，回到基态时马上就分解了。如果加足够的能量保持大量惰性气体处于激发状态，激光发射将继续进行

　　掩模铬面朝下，放在显微镜物镜下的框架内。微调螺丝用于相对于掩模移动圆片。

　　一旦圆片与掩模对准，两者被互相夹紧，显微镜物镜移开，圆片/掩模组合(zǔhé)送入曝光台。高强度灯辐照曝光圆片。曝光后，载片器回到观察台，取出圆片

　　接触光刻机一般限用于能容忍较高缺陷水平的器件研究(yánjiū)或其他应用方面

　　为了避免产生缺陷，发展了接近式光刻。在这种类型的曝光工具中，掩模浮在圆片表面，一般在一层氮气气垫上。圆片与掩模的间隙受进入的氮气流控制。通常间隔为10—50μm。因为圆片与掩模间不存在任何(设计的)接触，产生的缺陷大大减少

　　投影光刻机是为了得到接触式光刻的高分辨率，而又不会(bù huì)产生缺陷

　　k是一个常数，决定于光刻胶区分光强少量变化的能力(一般k为0.75量级)。NA为0.6，365nm光源的对准机可以形成0.4μm的图形

　　沿整个200mm圆片保持聚焦深度是困难的，因为除非做了某种平面化处理，单是圆片形貌高差会大到2m