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半导体光刻技术详解行业讲座培训ppt课件!

发布于 2025-10-07 05:44 阅读(

  

半导体光刻技术详解行业讲座培训ppt课件

  的光。一般stepper或scanner的曝光源,都是通过滤光片将其他不需要的

  光过滤掉,只留下365nm或436nm的光。接触式曝光机一般用宽谱曝光,

  光刻机的发展主要从二十世纪70年代到现在,从早期的线微米以上到现在的亚微米尺寸,从汞灯光源到KrF等,按曝光方式大致将光刻机分为五代。

  焦点周围的一个范围,在这个范围内图像连续的保持清晰,这个范围被称为焦深或DOF。

  温度:温度对掩模版台、光学元件、承片台和对准系统产生影响。所以高温照明系统和电源通常放在远离设备主体的地方。

  湿度:湿度能影响空气密度,不利于光通过;从而对干涉计定位、透镜数值孔径和聚焦产生不利影响。

  振动:振动的发生将给定位、K8凯发官网平台入口对准、聚焦和曝光带来问题。K8凯发官网平台入口可能产生定位错误、对准错误、离焦和不均匀曝光。

  大气压力:大气压力的变化可能影响投影光学系统中空气的折射率。将导致不均匀线宽控制和极差的套准精度。

  热板加热,wafer直接和热板全面接触,热传导很快,热量从下往上传导。溶剂挥发快。优点:均匀性好!

  烘箱加热,热量通过空气传导给wafer,需要时间长,且会存在均匀性问题。

  微波加热,热量从上往下,光刻胶表面会先变硬,如胶厚度较厚,底下的溶剂不好挥发。

  Soft bake 温度过高,会导致曝光能量增大和分辨率降低。因为温度太高,