K8（凯发中国）凯发-天生赢家·一触即发

　　

　　1、光刻作为半导体制造过程中的一道非常重要的工序，它是将掩模板上的图形通过曝光转移到基底上的工艺过程，被认为是大规模集成电路制造中的核心步骤，半导体制造中一系列复杂而耗时的光刻工艺主要是由相应的曝光机来完成。

　　3、现有的半导体光刻工艺在对半导体进行光刻加工时，需要对半导体衬底的进行预处理，但对于半导体的清理效果较差，从而极大的影响了对半导体加工的质量，不利于半导体的使用，同时在对半导体进行光刻加工时， 需要对半导体进行多次的烘烤，而现有的烘烤设备在进行使用后，容易有物料粘附在放置架上，不方便进行清理，影响了烘烤设备的使用和对半导体的烘烤效果，同时现有的烘烤设备还不具备移动的功能，从而使得设备使用很不方便。

　　10、a1：在涂抹光刻胶之前，通过机械清洁的方式能够进行微粒污染的清洁，并通过等离子体剥离的方式能够对衬底上的无机物和聚合物沉积物进行清洁；

　　12、a3：在衬底表面涂抹黏合促进剂，黏合促进剂采用delo-monopox单组分环氧胶，从而提高光刻胶在衬底表面的附着能力。

　　14、b1：将硅片放置在选装托盘上，将光刻胶溶液喷洒在硅片表面，并加速旋转托盘以及硅片的转动，直到达到所需的旋转速度；

　　15、b2：达到所需的旋转速度之后，保持一段时间，以旋转的托盘为参考系，光刻胶在随之旋转受到离心力，使得光刻胶向着硅片外围移动。

　　17、c1：将使用特定波长的光对覆盖衬底的光刻胶进行选择性地照射，光刻胶中的感光剂会发生光化学反应，从而使正光刻胶被照射区域、负光刻胶未被照射的区域化学成分发生变化；

　　18、c2：在接受光照后，正性光刻胶中的感光剂dq会发生光化学反应，变为乙烯酮，并进一步水解为茚并羧酸，之后利用感光与未感光光刻胶对碱性溶剂的不同溶解度，就可以进行掩膜图形的转移；

　　19、c3：通过在曝光过程结束后加入显影液，正光刻胶的感光区、负光刻胶的非感光区，会溶解于显影液中，使得光刻胶层中的图形能够显现出来。

　　20、本发明技术方案的进一步改进在于：包括烘烤箱，所述烘烤箱的右侧顶部固定连接有控制台，所述烘烤箱的前端滑动连接有放置架，所述烘烤箱的右侧底端固定连接有移动机构。

　　21、本发明技术方案的进一步改进在于：所述放置架包括拉板，所述拉板的左侧固定连接有滑动架，所述滑动架滑动连接在烘烤箱的内部，所述滑动架的内侧固定连接有放置网板，所述滑动架的内部固定连接有第一电机，所述第一电机的输出轴固定连接有第一螺杆，所述第一螺杆的侧面螺纹连接有清灰板一，所述清灰板一的顶端固定连接有清灰板二，所述清灰板二滑动连接在放置网板的侧面，所述滑动架的内部右端活动连接有收集盒。

　　22、本发明技术方案的进一步改进在于：所述清灰板二包括滑动板，所述滑动板滑动连接在放置网板的顶部，所述滑动板的底端固定连接有清灰刷，所述滑动板的侧面设置有传动轮，所述传动轮的侧面固定连接有齿条，所述齿条固定连接在滑动架的内部，所述传动轮的右端固定连接有转动轴，所述转动轴活动连接在滑动板的内部，所述转动轴的侧面固定连接有主动轮，所述主动轮的侧面啮合连接有从动轮，所述从动轮的底端固定连接有转动刷，所述转动刷活动连接在滑动板的底部。

　　23、本发明技术方案的进一步改进在于：所述移动机构包括第二电机，所述第二电机固定连接在烘烤K8凯发箱的侧面，所述第二电机的输出轴固定连接有第二螺杆，所述第二螺杆活动连接在烘烤箱的内部，所述第二螺杆的侧面螺纹连接有螺纹滑块，所述螺纹滑块的侧面活动连接有推杆，所述推杆的底端活动连接有升降板，所述升降板的底部固定连接有支撑腿，所述支撑腿的底端活动连接有移动轮，所述升降板的中部滑动连接有转动杆，所述转动杆的一端固定连接有支撑柱，所述转动杆的中部活动连接有限制杆，所述限制杆固定连接在烘烤箱的内部。

　　24、由于采用了上述技术方案，本发明相对现有技术来说，取得的技术进步是：

　　25、1、本发明提供一种半导体光刻工艺，通过机械清洁的方式能够进行微粒污染的清洁，并通过等离子体剥离的方式能够对衬底上的无机物和聚合物沉积物进行清洁，使得对衬底的清洁效果更好，并通过delo-monopox单组分环氧胶粘合促进剂的涂抹，在提高衬底附着能力的同时，还具备着导热，绝缘的作用，之后通过甩胶法进行光刻胶溶液的涂抹，并在经过软烘干后，对半导体进行曝光和显影，最后通过硬烘干的处理，能够完成对半导体的光刻加工，使得半导体的加工质量有所提高，方便了半导体的使用。

　　26、2、本发明提供一种半导体光刻工艺，通过拉板、滑动架、放置网板、第一电机、第一螺杆、清灰板一、清灰板二、收集盒之间的相互配合，在对需要对放置架进行清理时，通过启动第一电机，从而能够带动第一螺杆进行转动，并能够带动清灰板一进行移动，从而能够对掉落的渣滓进行清理，同时清灰板一能够带动清灰板二移动，能够对放置网板进行清理，清理的渣滓在会落入到收集盒中，方便了对渣滓进行处理，方便了烘烤设备的使用，保证了对半导体的烘烤质量不受影响。

　　27、3、本发明提供一种半导体光刻工艺，通过第二电机、第二螺杆、螺纹滑块、推杆、升降板、支撑腿、移动轮、转动杆、支撑柱、限制杆之间的相互配合，通过启动第二电机，从而能够带动第二螺杆进行转动，并能够带动螺纹滑块进行移动，从而通过推杆能够推动升降板进行移动，并通过支撑腿能够带动移动轮进行伸出，并通过转动杆能够带动支撑柱进行收回，从而方便了对设备进行移动，使得设备的使用更加方便。

　　2.根据权利要求1所述的一种半导体光刻工艺，其特征在于：所述步骤一还包括以下步骤：

　　3.根据权利要求1所述的一种半导体光刻工艺，其特征在于：所述步骤二还包括以下步骤：

　　4.根据权利要求1所述的一种半导体光刻工艺，其特征在于：所述步骤四还包括以下步骤：

　　5.根据权利要求1所述的一种半导体光刻工艺，现提出一种半导体烘烤设备，其特征在于：包括烘烤箱（1），所述烘烤箱（1）的右侧顶部固定连接有控制台（2），所述烘烤箱（1）的前端滑动连接有放置架（3），所述烘烤箱（1）的右侧底端固定连接有移动机构（4）。

　　6.根据权利要求5所述的一种半导体烘烤设备，其特征在于：所述放置架（3）包括拉板（31），所述拉板（31）的左侧固定连接有滑动架（32），所述滑动架（32）滑动连接在烘烤箱（1）的内部，所述滑动架（32）的内侧固定连接有放置网板（33），所述滑动架（32）的内部固定连接有第一电机（34），所述第一电机（34）的输出轴固定连接有第一螺杆（35），所述第一螺杆（35）的侧面螺纹连接有清灰板一（36），所述清灰板一（36）的顶端固定连接有清灰板二（37），所述清灰板二（37）滑动连接在放置网板（33）的侧面，所述滑动架（32）的内部右端活动连接有收集盒（38）。

　　7.根据权利要求6所述的一种半导体烘烤设备，其特征在于：所述清灰板二（37）包括滑动板（371），所述滑动板（371）滑动连接在放置网板（33）的顶部，所述滑动板（371）的底端固定连接有清灰刷（372），所述滑动板（371）的侧面设置有传动轮（373），所述传动轮（373）的侧面固定连接有齿条（374），所述齿条（374）固定连接在滑动架（32）的内部，所述传动轮（373）的右端固定连接有转动轴（375），所述转动轴（375）活动连接在滑动板（371）的内部，所述转动轴（375）的侧面固定连接有主动轮（376），所述主动轮（376）的侧面啮合连接有从动轮（377），所述从动轮（377）的底端固定连接有转动刷（378），所述转动刷（378）活动连接在滑动板（371）的底部。

　　8.根据权利要求5所述的一种半导体烘烤设备，其特征在于：所述移动机构（4）包括第二电机（41），所述第二电机（41）固定连接在烘烤箱（1）的侧面，所述第二电机（41）的输出轴固定连接有第二螺杆（42），所述第二螺杆（42）活动连接在烘烤箱（1）的内部，所述第二螺杆（42）的侧面螺纹连接有螺纹滑块（43），所述螺纹滑块（43）的侧面活动连接有推杆（44），所述推杆（44）的底端活动连接有升降板（45），所述升降板（45）的底部固定连接有支撑腿（46），所述支撑腿（46）的底端活动连接有移动轮（47），所述升降板（45）的中部滑动连接有转动杆（48），所述转动杆（48）的一端固定连接有支撑柱（49），所述转动杆（48）的中部活动连接有限制杆（410），所述限制杆（410）固定连接在烘烤箱（1）的内部。

　　本发明公开了一种半导体光刻工艺，涉及半导体制造技术领域，该半导体光刻工艺包括以下步骤：步骤一：衬底的准备；步骤二：涂抹光刻胶；步骤三：软烘干处理；步骤四：曝光及显影；步骤五：硬烘干处理。本发明通过机械清洁的方式能够进行微粒污染的清洁，并通过等离子体剥离的方式能够对衬底上的无机物和聚合物沉积物进行清洁，使得对衬底的清洁效果更好，并通过DELO‑MONOPOX单组分环氧胶粘合促进剂的涂抹，在提高衬底附着能力的同时，还具备着导热，绝缘的作用，之后通过甩胶法进行光刻胶溶液的涂抹，并在经过软烘干后，对半导体进行曝光和显影，最后通过硬烘干的处理，能够完成对半导体的光刻加工，使得半导体的加工质量有所提高，方便了半导体的使用。