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台积电光刻专利申请量激增:EUV技术护城河加固先进制程竞争白热化!

发布于 2025-10-24 14:32 阅读(

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台积电光刻专利申请量激增:EUV技术护城河加固先进制程竞争白热化

  台积电在先进制程技术领域的专利申请,特别是光刻技术,正经历显著增长。 集邦咨询TrendForce的最新行业分析报告指出,台积电通过积极的专利布局,持续巩固其在全球半导体领域的领先地位。 2016年至2023年间,台积电在光刻技术领域的专利申请量呈现爆发式增长,年均增幅接近一倍,与主要竞争对手的技术差距持续扩大。 这一趋势不仅反映了台积电在技术研发上的巨大投入,也预示着全球半导体先进制程竞争的白热化。

  根据Patentfield专利数据库的深度分析,台积电在半导体光刻设备(国际专利分类号H01L21)领域的专利积累尤为显著。 2010年代中期以来,其相关专利申请量进入快速增长通道,2023年达到1548件,较2016年的723件增长114%。 若聚焦包含光刻关键词的技术专利,2023年932件的申请量较2016年的350件增长166%,呈现同步攀升态势。 这一数据表明,台积电在光刻技术领域的投入和成果转化均取得了显著进展,为其3nm及以下先进制程的量产提供了坚实的技术支撑。

  该研究特别关注了涉及极紫外光刻(EUV)技术的核心专利。 分析表明,台积电在EUV相关工艺、材料及设备优化等细分领域已形成系统性专利网络,这对于实现更先进的制程至关重要。 例如,台积电申请的“用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法”专利,展示了其在EUV光刻掩模技术上的持续投入。 此外,台积电在2023年三种专利申请总量达到1956件,连续八年位居台湾地区榜首,也体现了其强大的技术创新能力。

  值得关注的是,尽管IBM已退出半导体制造领域,但其在光刻胶材料、多重曝光工艺等前沿领域仍保持活跃研发。IBM与日本Rapidus公司的合作,通过技术授权模式参与全球半导体技术竞争,也预示着“研发与生产分离”的模式正在重塑半导体产业格局。 这种模式下,掌握核心专利的研究机构通过技术许可、联合开发等方式,依然能在产业链中占据关键节点。 台积电与IBM的案例都表明,持续的技术创新投入是维持产业竞争力的核心要素。

  台积电在光刻技术上的持续投入和专利积累,不仅巩固了其在先进制程领域的领先地位,也推动了整个半导体行业的进步。 随着EUV技术的不断成熟和应用,未来先进制程的竞争将更加激烈。 那么,在EUV技术不断发展的背景下,其他厂商,如三星、英特尔等,将如何应对? 这类技术密集型企业之间的竞争,将对整个行业带来怎样的影响? 欢迎在评论区留下你的看法。