K8（凯发中国）凯发-天生赢家·一触即发

　　近期，据外媒报道，中国成功研制出了生产先进芯片的极紫光刻机（EUV）的原型机，外网讨论特别热烈，甚至使用“曼哈顿计划”来形容这次重大的突破，足见这次事件给西方带来的震撼有多强，西方对中国科技进步的焦虑也是显而易见！

　　外媒用它来形容中国研制光刻机工程，潜台词就是制造EUV光刻机难度堪比造原子弹！

　　全球半导体产业规模已经超过7000多亿美元，而光刻机作为芯片制造中最关键、最复杂的设备，虽然它的市场规模没那么大，却掌握整个产业的命脉。

　　光刻机制造芯片的过程，相当于一块指甲盖大小的芯片上，需要雕刻出数百亿个晶体管，这个难度是一系列极限工程技术挑战的叠加：

　　超精密光源系统是首道难关。极紫外光（EUV）的生成，是目前制造7nm及以下芯片的唯一方法。EUV波长仅13.5纳米，无法用传统方式产生。产生这种光需要以极高精度持续轰击每秒数万滴的液态锡滴（约头发丝直径的三分之一），并维持足够功率。整个过程必须在真空中进行，因为EUV几乎能被一切物质吸收。

　　极端光学系统同样令人惊叹。EUV光刻机使用布拉格反射镜，镜面粗糙度要求原子级，形象的说，如果把镜面面积放大到整个德国大小，其表面起伏不能超过0.1毫米。

　　纳米级对准与测量则是另一大挑战。一颗芯片需要经过几十次甚至上百次光刻，每次都必须与之前的图案完美对准。套刻精度要求低于2纳米。

　　这就好比在一张邮票大小的区域，连续印刷几十层复杂的城市地图，每层都必须严丝合缝，错位不能超过一根头发丝直径的四万分之一。

　　系统的整合和稳定性是最后的试金石。一台光刻机内含超过10万个精密零件，是精密机械、高等光学量子物理、真空技术、软件算法等尖端科技的集大成者，将这些系统整合，并让它们在纳米尺度上协同工作，难度远远超过任何单一技术的突破。

　　此外，芯片要求光刻机良率必须超过90%，这意味着所有极端精密的系统，必须在各种环境干扰下，保持长期、可靠、一致的性能，这是工程中最难的一环。

　　这些难点相互耦合，构成了极高的技术壁垒，目前全球也就AMSL（荷兰光刻机巨头）一家公司能造出EUV光刻机，所以AMSL生产的一台先进EUV光刻机售价能高达3.5到4亿欧元。

　　中国作为全球最大的芯片消费国，每年进口芯片金额将近4000亿美元，但是芯片制造最上游环节，也就是光刻设备领域，却面临着严峻的技术封锁。

　　从2018年开始，美国就通过出口管制措施，限制中国获取先进半导体制造设备，特别是用于生产7纳米以下制程芯片的EUV光刻机就完全禁售，即使是相对成熟的DUV光刻机，也受到越来越严格的出口审查。

　　中国从2006年就启动了02专项，也就是《极大规模集成电路制造装备及成套工艺》项目，目的就是突破集成电路制造产业链核心技术。

　　经过将近20年的发展，我们在成熟技术领域，已经实现自主可控，但在尖端技术层面，仍存在明显差距。

　　目前上海微电子生产的SSA600/20光刻机，能够支持90纳米的芯片制造，已经在本土芯片生产线上稳定运行。

　　对于许多工业控制、汽车电子和物联网设备来说，90纳米制程已经足够使用。这部分市场约占全球芯片市场的30%左右。

　　但当我们进入更先进的28纳米、14纳米甚至7纳米制程领域时，差距就很明显。28纳米是当前芯片制造的一个关键节点，它能够满足绝大多数智能手机、电脑和通信设备对性能与功耗的要求。

　　目前，上海微电子正在攻关的28纳米浸没式光刻机，已经进入内部测试阶段。一旦成功，将覆盖国内芯片制造的大部分需求。

　　ASML从1999年开始研究EUV技术，投入超过400亿美元，集结了全球5000多家供应商，德国的蔡司提供光学系统，美国的Cymer提供光源，各种精密零部件来自世界各地，才实现了EUV光刻机的商业化。

　　中国在尖端EUV领域研发目前仍然处于早期阶段，中国虽已研发出EUV光刻机原型机，但离商用还有很长的路要走。

　　一台先进光刻机的制造离不开全球供应链的支持，中国要实现完全自主，必须在全产业链上取得突破。

　　ASML每台设备都承载着数十年的工艺数据，这些数据能帮助芯片制造商快速提高良品率。而后来者需要从零开始积累这一过程，需要时间和大量试错。

　　长期来看，中国必须坚持EUV等尖端技术的自主研发，但需要清楚的认识，这是一条需要数十年持续投入的道路，不可能一蹴而就。

　　即使中国只能实现28纳米及以上制程的自主可控，也将影响全球约三分之二的芯片市场。

　　而当下，中国极紫外EUV原型机的突破，恰恰证明了一个事实，封锁压不跨中国，k8凯发集团反而倒逼中国走上自主创新之路。