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中韩半导体产业能否在美方技术限制下开辟新合作模式?!
发布于 2026-01-06 07:31 阅读()
在美方技术限制持续施压的背景下,中韩半导体产业正通过供应链重组、技术迂回与政策博弈,探索“有限合作”与“错位互补”的新模式,但受制于地缘政治与国产化进程,合作空间呈现“局部突破、k8凯发集团整体承压”的特征。
韩国企业利用美方“年度许可”机制维持在华工厂基础运营(如设备维修与成熟制程生产),三星、SK海力士通过分阶段技术升级规避限制,无锡DRAM工厂尝试推进10纳米工艺。同时,韩国加速原材料本土化(如稀土精炼),以降低对华依赖,中国则通过“50%国产设备”政策倒逼本土设备替代,挤压韩企中低端设备市场。
产能协作: 韩国聚焦40纳米等成熟制程,以政府补贴建设公共代工厂,承接西方“友岸外包”订单,与中国争夺汽车芯片、工业芯片市场;
技术合作: 中韩在AI芯片架构(如RISC-V)、氢能半导体技术上探索联合研发,三星Display与京东方共建Micro LED实验室;
市场互换: 韩国向中国出口高附加值存储芯片,同时进口中国低成本化工材料与基础元件。
美方将“无限期豁免”改为年度审批制,限制韩企在华工厂技术升级与产能扩张,并施压荷兰、日本同步收紧光刻机出口。例如,ASML对韩出口EUV设备需符合美国“安全边界”定义。
韩国在存储芯片(DRAM/NAND)领域技术优势收窄,长江存储294层3D NAND良率超90%,成本低30%;中国AI芯片(昇腾系列)在能效比上逼近国际水平,挤压韩企高端市场。韩国产业院评估显示,中韩半导体综合竞争力已持平,本土设计企业数量为3500:150。
中国推行“全产业链国产化”,大基金三期投入3400亿元扶持设备研发;韩国则加速“去中国化”,投入700万亿韩元建设本土供应链,并配合美国构建“芯片四方联盟”(CHIP 4)。
设备维修与代工: 韩企利用美许可维持现有产线,中国开放成熟制程代工订单以换取韩方材料技术;
非美技术路线: 中韩联合开发RISC-V架构芯片、第三代半导体,规避EDA软件与光刻机限制。
韩国“安全靠美、经济靠华”的双轨策略难持续,若中美冲突加剧,韩企或被迫“选边站”。例如美拟2027年对华半导体加征关税,可能迫使韩企撤离中国市场。
当前中韩合作实为地缘压力下的技术迂回与市场置换:中国以国产化替代挤压韩国中游设备,韩国以“友岸外包”争夺成熟制程订单。双方在AI、氢能等增量领域虽有合作空间,但核心环节(光刻、EDA、存储)仍受制于美国主导的联盟体系,短期内难以突破“低端互补、高端竞合”的困局。 (以上内容均由AI生成)
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