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　　常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料,叫做半导体(semiconductor).

　　半导体五大特性∶电阻率特性,导电特性,光电特性,负的电阻率温度特性,整流特性。

　　半导体的应用,按照其制造技术可以分为:集成电路(IC)器件,分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类

　　1833年,英国巴拉迪最先发现硫化银K8凯发官网平台入口的电阻随着温度的上升而降低(负电阻率温度特性)。这是半导体现象K8凯发官网平台入口的首次发现。

　　1839年,法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结,在光照下会产生一个电压--光生伏特效应,这是被发现的半导体的第二个特征。

　　1874年,德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关,即它的导电有方向性,这就是半导体的整流效应,也是半导体所特有的第三种特性。

　　1873年,英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应,这是半导体又一个特有的性质。

　　在wafer(晶圆)预检侧完毕被送到FAB的工艺线上后,先后在wafer表面生长出一层致密的SiO2膜和另外一层Si3N4膜,分别称为PAD Oxide和Nitride。