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　　比最初预期的更早，样机已投入使用，目前是良品率不足。预计两年后，也就是到2028年（最初2030年）实现商业化生产——这就是多家西方媒体在最近半年时间内对我国EUV光刻机的最新报道。

　　西方学界和行业机构之前对中国 EUV 光刻机的判断，其实一直都很保守。他们普遍认为：在技术封锁和产业链短板的影响下，中国至少要到2035年，才有可能让自主研发的 EUV 光刻机真正走向市场，实现商业化。

　　这个观点，在过去很长一段时间里，几乎成了全球半导体行业的共识，也成了西方维持高端芯片制造垄断的一个重要底气。但这几年下来，中国在光刻技术上的突破，明显超出了他们的想象。

　　多家海外媒体和机构最近也都陆续证实：中国EUV光刻机原型机已进入实验性生产阶段。按照行业常规的迭代节奏，同时考虑中国“人多力量大”的特性，预计2028年便能推出商业级设备。

　　即便中途遇到多个难题，需要更多时间完善，那在2030年也必定能实现商业化落地。换言之，西方此前的预判，早已沦为空谈。

　　西方之所以会把中国EUV商业化的时间点锁定在2035年，主要是三个原因，并非完全没有道理——首先，EUV光刻机本身的技术难度，堪称半导体行业的“珠峰”。

　　一台完整的EUV设备，光精密零件就超过10万个，还要依赖德国蔡司的超高精度光学镜头、美国的高端光源系统以及全球5000余家供应商的协同配合。任何一个环节出现技术短板，都可能让整个研发进程陷入停滞。

　　ASML从启动EUV研发到实现成熟商用，前后耗了近20年。西方据此认为：中国的高端光刻机研发几乎从零起步，想要突破全链条技术，至少得花15到20年，2035年已是相对乐观的估算。

　　其次，美国主导的全方位技术封锁，让多位西方分析师坚信中国难以快速突破。自2019年起，美国就不断向荷兰政府施压，禁止ASML向中国直接或间接出售任何EUV设备。

　　同时严格管控光源、光学组件、精密轴承等关键零部件的对华供应，一心想把中国牢牢锁死在DUV光刻的低阶领域，确保西方在核心技术方面实现“长时间的垄断”。

　　在很多西方人士看来，没了外部技术与供应链的支撑，中国仅凭自主攻关，突破EUV技术的难度会呈几何级增长，研发进度自然会大幅滞后。

　　最后，是西方对中国半导体产业基础技术的习惯性低估。此前，中国能自主量产的最先进光刻机，还只是28nm制程的DUV设备，和ASML的EUV光刻机有着明显的代际差距。

　　西方行业分析师（包括ASML前高管在内）多次公开表示：中国在光刻材料、精密制造、工艺整合等领域的积累还比较薄弱，即便能突破原型机研发，也很难解决良率、稳定性、产能等商业化核心难题——想要成熟商用，肯定还要慢慢磨。

　　也正是因为这几点，高盛、荷兰Insinger Gilissen咨询公司等海外机构，还有ASML官方，都把中国EUV商业化的时间点锁定在2035年前后——这一判断也被路透社、彭博社等西方主流媒体广泛引用，成了行业内的“共识”。

　　去年下半年至2026年4月区间，路透社、WireUnwired、TrendForce、伯恩斯坦、朝鲜日报等多家海外权威媒体与机构，通过采访中国消息人士、跟踪中科院等科研机构的技术进展。

　　再加上关注国内试验产线的实际动态，发布的企业或行业报道与报告，共同证实了一个关键消息：中国EUV光刻机已经正式进入实验性生产阶段。

　　其中，美国科技媒体WireUnwired在标题为《中国启动EUV芯片原型——缩小ASML垄断的差距》的文章中，给出了明确的具体判断：中国EUV光刻机的样机在2026年投入使用，这一进度远超西方国家分析人士“最初的预期”。

　　而这背后，恰恰说明他们严重低估了中国在光刻技术领域的攻关能力与推进速度。这份报道并非空穴来风，而是基于对中国试验产线的实地了解，对相关技术人员的采访，并得到了其他海外机构的认可。

　　路透社在2026年1月25日的独家报道中，进一步佐证了这一进展，明确指出：中国深圳已经成功造出可正常运行的EUV光刻机整机原型机，核心模块均实现国产化，而且已经在试验产线完成了点亮、曝光等核心测试，正式进入实验性生产阶段。

　　韩国《朝鲜日报》援引对中国半导体设备发展高度关注、持续关注的Kwon Seok-joon 教授的话说：中国EUV光刻机的样机已经在2025年第二季度开始试制电路，并计划在2026年全面生产。

　　TrendForce（集邦咨询）在3月的行业报告中，将中国当前的进展定义为“equipment trial production”（整机设备试产），明确指出中国EUV已经从实验室研发阶段，正式迈入产线验证、工艺磨合的实验性生产阶段，这和西方分析师的判断完全一致。

　　伯恩斯坦在最新研报中也补充道，中国EUV原型机的技术状态，已经达到了ASML 2001年内部可运行原型机的水平，而且中国的技术迭代速度，比当年的ASML快得多，这也为后续的商业化推进打下了基础。

　　西方分析师在解读这一进展，也就是中国EUV光刻机的出现超过预期、技术进步飞速的同时，也不止一次提到：还处于样机、原型机阶段，远没达到商用标准，并未实现大规模生产。

　　最直观的表现就是芯片生产的良品率——当前仅为60%，和ASML EUV光刻机90%以上的商用良品率比起来，还有不小的差距。

　　西方分析师在深入分析后还发现：中国之所以能在还没实现完美镜面的情况下，让EUV样机投入使用，靠的是一种灵活的技术补偿方案。

　　要知道，EUV光刻机对光学镜面的精度要求极高，打造近乎完美的镜面难度极大，这也是西方此前认为中国难以快速突破的核心难点之一。

　　而中国工程师并没有死磕完美镜面的制造，而是通过安装高精度传感器，实时测量镜面的瑕疵，再通过调整曝光剂量和曝光时间，对这些瑕疵进行精准补偿，最终实现了稳定的光刻效果。

　　也正因为如此，西方分析师普遍认为：中国目前的EUV样机“不是一个完美的、稳定的机械”。

　　除了良率偏低，产能方面的差距也很明显。他们披露的数据显示：中国EUV样机目前每小时只能处理150片晶圆，而ASML最新款的EUV设备，每小时产能能达到200多片，两者之间的差距一眼就能看出来。

　　这些细节也从侧面印证，中国EUV目前还处于实验性生产阶段，还需要一段时间的优化完善，才能达到商业化应用的标准。

　　按照全球半导体行业的通用规律，从EUV光刻机原型机实验性生产，到实现商业化量产，常规的迭代周期是18到24个月。这一周期的核心任务，就是解决样机阶段的核心短板：

　　参照ASML的发展路径，它在2001年推出原型机后，用了5年时间实现预量产，又用了7年才达成成熟商用。而中国依托集中攻关、产业链协同的优势，迭代节奏明显更快。

　　基于当前的实验性生产进度，再结合行业通用的迭代规律，海外技术分析师与智库机构纷纷修正了此前的预判。多数西方学者认为：中国EUV光刻机如果能在2026至2027年期间，将良品率从目前的60%提升到85%以上。

　　同时优化产能与设备稳定性，那么到2028年就完全具备推出商业级EUV光刻机的条件。即便后续在技术完善过程中遇到难题，比如光学系统精度提升、光源稳定性优化等需要额外投入时间，2030年也必定能实现全面商业化，正式进入全球高端光刻设备市场。

　　这一预判的修正，意义早已超出了技术本身——意味着，西方依靠EUV垄断构建的高端芯片制造壁垒，即将被中国彻底打破。

　　在此之前，全球7nm以下的先进制程芯片，完全依赖ASML的EUV光刻机，中国芯片产业始终被卡在先进制程门外，只能依靠进口设备生产中低端芯片，核心技术主动权一直掌握在西方手中。

　　而一旦国产EUV实现商业化，中芯国际等国内芯片厂，就能摆脱外部设备封锁，自主推进5nm、3nm甚至更先进制程的芯片研发与量产，中国半导体产业也将真正实现“自主可控”。

　　不再引用外网的报道消息了，南生总结下：我国EUV光刻机样机已投入使用，今年与明年年集中攻坚核心短板，提升设备稳定性与工艺适配性；2028年，冲击商业级设备落地，实现规模量产。

　　即使中间路途，不那么顺利，那到2030年也必然将会实现全面商业化，正式跻身全球高端光刻设备领域。

　　南生特别提醒大家：外媒报道的“中国EUV光刻机已投入使用，正在实验性生产，2028年实现商业化”的消息，目前这并非我国官方宣布，而是来源于路透社等外媒引述匿名消息人士的报道，信息具有一定的可信度，但尚未得到中国官方确认。

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