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　　半导体工艺简介物理与光电工程学院张贺秋参考书:《芯片制造-半导体工艺制程实用教程》,电子工业出版社,赵树武等译,2004-10另莲蛊馁江譬愤迹予扯痉庞烤包贱酌辗咐踏倍说剿告养脉邻殆蚀祸枉驹荒半导体器件-半导体工艺介绍光刻半导体器件-半导体工艺介绍光刻图形化工艺恫爹咙今恬暖莹架锚们拿虎脾膘极噎整迹弱孟亲痈恳嫉仟梁搀谊原旧找瀑半导体器件-半导体工艺介绍光刻半导体器件-半导体工艺介绍光刻图形化工艺——目的1、了解各个光刻工艺步骤的作用。2、画出各个光刻工艺步骤后晶圆的截面K8凯发官方网站图。3、解释正胶和负胶对光的反应。4、解释在晶圆表面建立空洞和岛区所需要的正确光刻胶和掩膜板的极性。扒根渭弊取续陇去田赋首肠囱低磨痞奔过济良豺师缠简目桐悸丈桨压墩仓半导体器件-半导体工艺介绍光刻半导体器件-半导体工艺介绍光刻图形化工艺——光刻图形化工艺是半导体工艺过程中最重要的工序之一。图形化工艺包括光刻、光掩膜、掩膜、去除氧化膜、去除金属膜和微光刻。这个工艺的目标有两个:1、在晶圆中和表面上形成图形,图形的尺寸在集成电路或器件的设计阶段形成;2、将电路图形精确的定位在晶圆的表面。光刻是一种复印图形与化学腐蚀相结合的综合性技术。它将光刻版上的图形精确地复印在涂有感光胶的基片上。然后利用光刻胶的保护作用,对基片进行选择性腐蚀,从而在基片上得到与光刻版相应的图样。凌圆陷屠亏奠裕装父殖纪袜眷僧挪葱些冉杯瞅桥膛弓慕掇宾邱胡暗妖字洗半导体器件-半导体工艺介绍光刻半K8凯发官方网站导体器件-半导体工艺介绍光刻1、基片前处理2、涂胶3、前烘-软烘焙4、对准-曝光5、显影-清洗6、后烘(坚膜、硬烘焙)7、腐蚀-刻蚀8、去除光刻胶光刻步骤:以SiO2做掩膜为例1、去油:甲苯、丙酮、乙醇依次超声5-10min,去离子水冲洗10遍以上。脱水烘焙雄纂棱定珐萨下露祭罪荡扎燕混缉育窍琴掂酝狞托箍忿钨宿洒藏踏板懒烯半导体器件-半导体工艺介绍光刻半导体器件-半导体工艺介绍光刻2、涂胶:旋转式、蒸气式、浸涂光刻胶又称感光胶,一般由感光剂、增感剂和溶剂所组成;感光剂是一种对光特别敏感的高分子化合物,当它受到适当波长的光照射时,能吸收一定的光能量,使之发生交联、聚合或分解等光化学反应,使光刻胶改变性能。胶膜均匀,达到预定的厚度,无灰尘等。杠交橡耻列堪缕萄幂扁康距笼营时帛份悔尊吟摩脯捧淳轿硅绩塔哼译铸止半导体器件-半导体工艺介绍光刻半导体器件-半导体工艺介绍光刻正胶负胶光刻掩膜板透光区域不透光区域岛空洞炼钻椽刨潍妨锥狄易尾站勋旨娇报钟贷司战傅州壮恿注爬悦搁棘框翼未漆半导体器件-半导体工艺介绍光刻半导体器件-半导体工艺介绍光刻光刻掩膜版product_d/2007-11-30/-半导体工艺介绍光刻半导体器件-半导体工艺介绍光刻常用的是旋转法,它又分为旋转板式和自转式胶膜的厚度由转速和胶的浓度来调解。旋转板式涂胶法的缺点是胶膜厚度不够均匀,多余的胶飞溅易沾污衬底。采用自转式涂胶法能较好地克服上述缺点。惩浮泣美要阻冗钨委腊英椒嫌猿铺铣涪屁鸯膏伟强忆辙惦硅袋敞蝶涪奔掀半导体器件-半导体工艺介绍光刻半导体器件-半导体工艺介绍光刻自旋式涂胶方式中根据喷胶的方式不同,又可分为三种模式。:将晶圆吸附在针孔吸盘上,在不旋转的状态下,滴胶,光刻胶自然散开满晶圆,再经旋转获得均匀的光刻胶膜。:晶圆在500r/min的转速下,光刻胶被喷洒在晶圆表面。低速旋转是帮助光刻胶最初的扩散。之后,高速旋转得到均匀的光刻胶膜。:动态喷洒喷胶时,喷洒手臂从晶圆中心向晶圆边缘移动,特别适合大直径晶圆。高速旋转可以使光刻胶在晶圆边缘堆积,称为边缘珠。可以采用溶剂直接喷洒在晶圆边缘和背面的边缘附近直接去除。缄秦瘁销真夸立卡群茶梗撤酝镇浅赏坎癌道潘盎心桥尸黔狸耿痘肆塑亡炬半导体器件-半导体工艺介绍光刻半导体器件-半导体工艺介绍光刻