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　　国家知识产权局信息显示，粤芯半导体技术股份有限公司申请一项名为“一种深沟槽电容器和硅通孔的制造方法”的专利，公开号CN121054482A，申请日期为2025年11月。专利摘要显示，本申请提供了一种深沟槽电容器和硅通孔的制造方法，所述方法包括：根据第一光刻胶层上定义出的硅通孔的图案，对待处理晶圆表面的硬掩模层进行初步刻蚀，得到硅通孔的初步浅槽；去除第一光刻胶层，保留硬掩模层；在硬掩模层的表面依次沉积抗反射层和第二光刻胶层，并在第二光刻胶层上定义出深沟槽电容器的图案；对抗反射层以及硬掩模层进行刻蚀，在硬掩模层上形成的第二开口构成深沟槽电容器对应的第二图案；去除抗反射层和第二光刻胶层，并根据硬掩模层上形成的第一图案和第二图案，对待处理晶圆进行自对准全面刻蚀，形成深沟槽电容器的沟槽结构和硅通孔的通孔结构，本申请能够解决深沟槽中光刻胶残留的问题，提升工艺稳定性。

　　天眼查资料显示，粤芯半导体技术股份有限公司，成立于2017年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本236559.1397万人民币。通过天眼查大数据分析，粤芯半导体技术股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目132次，财产线条，此外企业还拥有行政许可128个。

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