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国产光刻机官宣新突破！荷兰先坐不住了求老美解除ASML“禁令”近期，工信部公布消息称，我国DUV氟化氩光刻机技艺获重大突破，达到分辨率65nm，或可量产 28nm 工艺芯片。 然而就在前不久，荷兰光刻...
2025-12-07 阅读（950） 标签：半导体光刻技术 -
苏州润邦半导体申请光刻胶抗反射底涂层用偶联剂及制备方法与应用专利收率高国家知识产权局信息显示，苏州润邦半导体材料科技有限公司申请一项名为“一种光刻胶抗反射底涂...
2025-12-06 阅读（960） 标签：半导体光刻技术 -
美国投行唱衰：落后ASML 20年中国光刻机止步65nm？哈工大光速打脸日前，美国知名投行高盛发布的研究报告指出，现阶段中国自主研发的光刻设备仍停留在65nm工艺水平， 当前，全球芯片制造已迈入5nm以下节点，...
2025-12-06 阅读（712） 标签：半导体光刻技术 -
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